日本レーザー，CO2レーザービーム伝送システムを販売開始

日本レーザーは，英ULO Optics（ユー・エル・オー・オプティクス）社のCO2レーザービーム伝送システムの販売を開始した。

ULO Opticsは，英スティーブニッジに本社を構える世界トップクラスの赤外用オプティクスメーカー。1982年の設立からサーマルイメージングやセンシング向けに，CO2レーザー対応オプティクス及び中赤外オプティクスを設計・製造している。

ハイパワーレーザー用のUltraLO AR/ARコーティングなど，最新の高品質コーティングを採用し，CO2レーザー及び中赤外光に対応した多彩なコンポーネントをラインナップしている。特に種々のコンポーネントで自在に構築できるCO2ビーム伝送システムは，高品質でリーズナブル，産業用途に適している。

また，ISO 9001を取得済みで，エンドユーザーのカスタマイズ要求から大量生産，OEM向けまで対応できるとしている。

632.8nm He-Ne レーザー Civillasers.com

632.8nm He-Ne レーザー ドットレーザモジュール 赤色 レーザ光源

[特徴]
良好な単色性、良好な一貫性、良好な指向性、高輝度。

このヘリウム - ネオンレーザーは、教育、科学研究、教授実験、精密測定と測定、レーザー通信、レーザー写真複写、臨床医学、農業繁殖などの生産分野で使用できます。

[仕様]
製品名： 632.8nm He-Ne レーザー
波長： 632.8nm
動作電圧：4〜6mA
出力電力：> 2mW
レーザーチューブサイズ：Φ35* 250mm
光の極性：陰極からの光
連続作業時間：> 8時間
定格電圧：220V±22V AC
定格周波数：50Hz
定格入力電力：<20W
光出口穴：4.2mm
10cmでのスポットサイズ：1mm
1mでのスポットサイズ：2mm
3mでのスポットサイズ：6mm
5mでのスポットサイズ：12mm
10mでのスポットサイズ: 24mm
周囲温度：-10〜40℃
相対湿度：≤80％
レーザーサイズ：300（L）×62（W）×82（H）
重量：1.5kg

[注意事項]
1. He-Neレーザービームは高輝度、ハイエナジーレーザービームです。目を傷つけないように肉眼で照らすことは禁じられています。
2. 使用の際に、異音、異臭、煙などの異常状態を素早く遮断して点検する必要があります。
3. 装置の損傷や高電圧の感電を防ぐため、前面カバーと背面カバーを開けないでください。
4. 乾燥した換気の良い場所に保管してください。 化学薬品や腐食性ガスに触れないように注意してください。

一般的な障害と治療方法：

番号	共通の障害	原因と治療法
1	レーザービームなし	1.ヒューズが切断され、0.5Aヒューズを交換します 2.レーザーチューブの液漏れ、レーザーチューブの交換
2	レーザービームはピンク色です	レーザー出力が低下し、レーザーチューブがリークし、レーザーチューブが交換されます
3	レーザービームの点滅	1. 低い外部電圧 2. 耐圧絶縁が損なわれ、高電圧側が放電します。 抵抗を交換する
4	香り、温度上昇、煙	モジュールの電源が損傷している、モジュールの電源を交換する

14-pin DFB レーザ 1550nm 蝶形レーザー 半導体レーザ --civillasers.com

4-pin DFB レーザーダイオード 1550nm 蝶形レーザー 半導体レーザ

SWLDシリーズレーザーダイオードは、密閉型14ピンバタフライパッケージで製造された1260nm〜1650nmの広い波長のお客様の選択をカバーします。レーザーダイオードには熱電冷却器（TEC）、サーミスタ、モニターフォトダイオード、高品質レーザー パフォーマンス。 また、SMファイバ、PMファイバ、その他の特殊ファイバの出力パワー、パッケージタイプ、出力ファイバの完全な顧客選択も可能です。 当社のレーザ製品はTelcordia GR-468とRoHS指令に準拠しています。

[特徴]
1. 高出力電力(10~100mW)
2. 高性能、多重量子井戸（MQW）分布帰還型（DFB）レーザー
3. 業界標準の14ピンバタフライパッケージ
4. 内蔵TECおよび光アイソレータ
5. 1260nmから1650nmまで利用可能なITU波長
6. 波長の顧客選択

[適用分野]
1. LAN、WANおよびメトロネットワーク
2. C / DWDMシステム
3. 光ファイバセンサ
4. レーザー源
5. CATVシステム

[仕様]

パラメータ	シンボル	試験条件	最小	標準値	最大	単位
中心波長	λc	TL=15～35℃ CW	1549.92	1550.12	1550.32	nm
ピーク光出力	PO		10			mW
光アイソレーション		-10 < TC < +70 oC	30			dB
スペクトル線幅	LW	全幅、半値全幅(FWHM)		2		MHz
帯域幅（@-3dB）	BW			2.5		GHz
サイドモード抑圧比	SMSR	CW	35	40		dB
偏光消光比	ER		20			dB
波長ドリフト (EOL)	△λ	25年の生涯にわたって試験			±0.1	nm
波長温度係数	Δλ/ΔT	TEC 温度15℃-35℃		0.09		nm/°C
波長電流係数	Δλ/ΔT	TEC温度15℃〜35℃		0.01		nm/mA

電気的特性（25℃のレーザー温度で）

パラメータ	シンボル	試験条件	最小	標準値	最大	単位
スレッショルド電流	ITH			10	35	mA
スロープ効率		CW出力5mW	0.005	0.08	0.2	mW/mA
動作電流	Iop	PO= 10 mW (CW)		100	200	mA
TEC設定温度	Ts		15		35	℃
レーザー順電圧	VF	CW出力10mW		1.2	2.0	V
暗電流の監視	ID				0.1	μA
入力インピーダンス	ZIN		22	25	28	Ω
サーミスタ電流	ITC		10		100	μA
サーミスタ抵抗	RTH	TL = 25 °C	9.5	10	10.5	KΩ
TEC電流	ITEC	TL = 25 °C, TC = 70 °C			1.5	A
TEC電圧	VTEC	TL = 25 °C, TC = 70 °C			3.0	V
TEC能力	ΔT	Tc = 70℃			50	°C
サーミスタ温度					100	°C

ファイバーピグテールの仕様

パラメータ	説明
ファイバータイプ	PMファイバ
ジャケットタイプ	900μmルーズチューブ
ピグテールの長さ	1.0±0.1m
コネクタタイプ	FC/APC
PMファイバコネクタの向き	下の図をご覧ください

レーザを使い安全にスマートフォンをワイヤレス充電

ワシントン大学の研究チームは､レーザを使って安全にスマートフォンをワイヤレス充電する方法を初めて開発した｡
発表された研究成果によると､レーザ発振器からの不可視ナロービームが部屋の反対側にあるスマートフォンを充電することができる｡また、潜在的に､標準USBケーブルと同じ速さで充電できる｡これを完成させるために研究チームは､スマートフォン背後に電力素子をマウントした｡これが､レーザからのパワーを使ってスマートフォンを充電する｡さらにチームは安全機能をカスタム設計した､スマートフォン上の金属平板ヒートシンクは､レーザからの過剰な熱を放出するためのもの｡また､人が充電ビームに入ろうとするとき､レーザを遮断するリフレクタベースの機構もその1つ｡

充電ビームは､レーザエミッタによって生成される｡レーザは､近赤外スペクトルの集光ビームを生成するようにチームが設定している｡充電ビームを遮断するシステムは､ローパワーの無害なレーザ｢ガードビーム｣を中欧に置いて｡このビームは､充電ビームと共同配置した別の光源が放射しており､充電ビームを物理的に｢囲んで｣いる｡特注の3Dプリントされた｢リフレクタ｣がスマートフォンの電力素子の周りに置かれており､これがガードビームを反射してレーザエミッタのフォトダイオードに返す｡ガードビームは電話そのものを充電しないが､人がビームパスに入るときに､スマートフォンからエミッタへの反射によりビームは｢センサ｣として働く｡ガードビームのブロックは､数十年の生理学的研究に基づいて､人体の最速動作を検出できるほど高速にできる｡
論文の共著者Arka Majumdar准教授によると､次世代のナノスケール光デバイスはGHz周波数で動作すると考えられ､シャッタの応答時間はナノ秒になる｡
ビームは､スマートフォンの背面にマウントされた電力素子により､スマートフォンを充電する｡細いビームが､4.3mの距離から安定した2Wパワーを15平方インチに供給する｡しかしエミッタは､ビーム半径を最大100平方㎝に12mの距離から充電できるように変更可能である｡この拡大は､エミッタがより広い充電領域､例えばカウンタやタブレットを狙え､またその面のどこにスマートフォンを置いても充電できることを意味する｡
研究チームは､高周波音響｢チャープ｣放出により、スマートフォンの位置を信号で知らせるようにプログラムした｡これは､人には聞こえないが､レーザエミッタの小さなマイクロフォンが拾える感度である｡
エミッタが、所望の充電面にあるスマートフォンを検出すると､レーザのスイッチを入れてバッテリの充電が始まる｡
www.lucklaser.jp

楽天375nm 50mW 紫外線 UV レーザー

375nm 50mW 紫外線 UV レーザー パワー安定性  3%

[特長]
1.高出力安定性(<3%)
2.体積の小さい、インストール便利

[規格]
波長|Wavelength: 375nm  (+/-5nm)
出力電力|Output Power: 50mW
作業温度|Operating Temperature: 0°C-40°C
貯蔵温度|Storage Temperature:  -40°C-85°C

パラメータ	作業条件	記号	最小の	类型	最大	単位
出力パワー	APC	PO			50	mW
出力安定性	2hrs	Ps			3	%
中心波長	@PO	λc		375		nm
スペクトル線幅	@PO	FWHM		2		nm
ビーム直径	1/e2 完全な角	D		2mm  D// 1mm  D┴		mm
ビーム発散角	1/e2 完全な角	Div		0.5 mrad Div// 1 mrad Div┴		mrad
予熱時間	@PO	Tw			5	分
騒音	RMS(10Hz-100MHz)	N		1		%
使用寿命	@PO	MTBF	10000			時間

玉川大ら，従来の量子受信機がレーザー識別に不適と示唆

玉川大学と愛知県立大学は，従来の量子受信機（逐次型受信機）に対する新たな性能解析法を確立し，この受信機ではレーザー光の識別において必ずしも最適性能を達成できないことを明らかにした。

レーザー光を用いた光通信・光計測技術は，インターネットや産業・医療を始めとした様々な分野に活用され，私達の生活基盤を支えている。今後，光通信の大容量化や光センサーの高感度化をさらに高いレベルで実現することが要求されており，この要求に応えるためには微弱な光をできるだけ精度良く識別できる受信機が必要になる。

微弱光では量子雑音と呼ばれる雑音が支配的になることが知られており，量子雑音を抑制することが可能な受信機として量子受信機が提案されている。これまでに，逐次的に光検出を行なうタイプの量子受信機（逐次型受信機）について数多くの研究が行なわれ，古典的な受信機よりも高い識別性能が得られることが原理実験により確認されてきた。

しかし，レーザー光の場合に識別性能が最も高い量子受信機（最適量子受信機）を逐次型受信機で実現できるか否かは長年の未解決問題だった。

今回，逐次型受信機の識別性能を解析するための新しい理論を確立することに成功した。また，この理論を用いてレーザー光に対する解析を行なうことで，逐次型受信機では最適量子受信機を実現できない場合があることを解明した。

これにより，限界性能を実現するためには新しいアプローチによる量子受信機が必要であることが明らかになったとしている。 www.civillasers.com

東大，フェムト秒レーザーでマルチフェロイクス状態を観測

東京大学は，特殊な物質群で生じる、強磁性（永久磁石）と強誘電性（分極が揃った状態）が共存するマルチフェロイクス（注1)状態を、レーザー光の照射によって1兆分の1秒以下という非常に短い時間で発現させることに初めて成功した。

近年，強磁性と強誘電性の両方の性質を併せ持つ物質群であるマルチフェロイクスが注目されている。これは外部電場によって磁石の向きを変えたり，外部磁場で分極の向きを変えたりすることができるので，新しい原理に基づくメモリデバイスやセンサーなどへの応用が期待されている。

しかしながら，外部電場や外部磁場を切りかえるためには100ピコ秒の時間がかかるため，あまり高速な制御はできないという課題がある。一方，光パルスは非常に短い時間で照射できるので，高速な操作が可能。研究では，フェムト秒レーザーを照射することによって，1兆分の1秒以下の非常に短い時間でマルチフェロイクス状態を発現させることに初めて成功した。

通常，物質の中を光が進む際に生じる吸収の大きさは、光の進む方向を反転させても変化しないが，マルチフェロイクスの中では，光の進む方向の反転によってその吸収の大きさに差が生じる場合がある。このような現象は方向二色性と呼ばれている。

研究で用いたマルチフェロイクスであるメタホウ酸銅は，特にこの方向二色性が大きい。研究グループは，この物質をマルチフェロイクスにならない摂氏マイナス268度まで冷却した状態で，波長800㎚，パルス幅100フェムト秒程度の超短パルスレーザーを照射し，波長400㎚の光に対して生じる方向二色性の大きさを測定した。

その結果，適切な外部磁場の大きさ（2テスラ以下）の下で，照射するパルスレーザーの強度が約4mJ/㎠以上の場合に，方向二色性が観測されるようになった。このとき，パルス照射後600フェムト秒以内という非常に短い時間で方向二色性が観測され始めた。これは，600フェムト秒という非常に短い時間で，レーザー光照射によるマルチフェロイクス相への変化が生じていることを意味する。

絶縁性の磁性体において，超短パルスレーザーを照射することによって磁性が変化することはこれまでにも知られていたが，その典型的な時間スケールは10～100ピコ秒程度だった。今回はそれと比べて一桁から二桁も高速となる。

このような高速な変化が生じる原因として，この物質中においては，光励起によって電子の軌道が変化するときに，ある確率でスピンも同時に反転し，それによってスピン系が瞬時にマルチフェロイクス状態になるというメカニズムが考えられるという。

この結果は，光を用いたマルチフェロイクス物質の超高速制御への道を拓くものであり，超高速メモリ技術等への応用が期待される。それと同時に，方向二色性の有無を超高速に切り替えることが可能であることから，新たな超高速光制御のための手法として，高速な光スイッチなどへの応用も期待されるとしている。（www.rakulaser.com）