14-pin DFB レーザ 1550nm 蝶形レーザー 半導体レーザ --civillasers.com

4-pin DFB レーザーダイオード 1550nm 蝶形レーザー 半導体レーザ

SWLDシリーズレーザーダイオードは、密閉型14ピンバタフライパッケージで製造された1260nm〜1650nmの広い波長のお客様の選択をカバーします。レーザーダイオードには熱電冷却器（TEC）、サーミスタ、モニターフォトダイオード、高品質レーザー パフォーマンス。 また、SMファイバ、PMファイバ、その他の特殊ファイバの出力パワー、パッケージタイプ、出力ファイバの完全な顧客選択も可能です。 当社のレーザ製品はTelcordia GR-468とRoHS指令に準拠しています。

[特徴]
1. 高出力電力(10~100mW)
2. 高性能、多重量子井戸（MQW）分布帰還型（DFB）レーザー
3. 業界標準の14ピンバタフライパッケージ
4. 内蔵TECおよび光アイソレータ
5. 1260nmから1650nmまで利用可能なITU波長
6. 波長の顧客選択

[適用分野]
1. LAN、WANおよびメトロネットワーク
2. C / DWDMシステム
3. 光ファイバセンサ
4. レーザー源
5. CATVシステム

[仕様]

パラメータ	シンボル	試験条件	最小	標準値	最大	単位
中心波長	λc	TL=15～35℃ CW	1549.92	1550.12	1550.32	nm
ピーク光出力	PO		10			mW
光アイソレーション		-10 < TC < +70 oC	30			dB
スペクトル線幅	LW	全幅、半値全幅(FWHM)		2		MHz
帯域幅（@-3dB）	BW			2.5		GHz
サイドモード抑圧比	SMSR	CW	35	40		dB
偏光消光比	ER		20			dB
波長ドリフト (EOL)	△λ	25年の生涯にわたって試験			±0.1	nm
波長温度係数	Δλ/ΔT	TEC 温度15℃-35℃		0.09		nm/°C
波長電流係数	Δλ/ΔT	TEC温度15℃〜35℃		0.01		nm/mA

電気的特性（25℃のレーザー温度で）

パラメータ	シンボル	試験条件	最小	標準値	最大	単位
スレッショルド電流	ITH			10	35	mA
スロープ効率		CW出力5mW	0.005	0.08	0.2	mW/mA
動作電流	Iop	PO= 10 mW (CW)		100	200	mA
TEC設定温度	Ts		15		35	℃
レーザー順電圧	VF	CW出力10mW		1.2	2.0	V
暗電流の監視	ID				0.1	μA
入力インピーダンス	ZIN		22	25	28	Ω
サーミスタ電流	ITC		10		100	μA
サーミスタ抵抗	RTH	TL = 25 °C	9.5	10	10.5	KΩ
TEC電流	ITEC	TL = 25 °C, TC = 70 °C			1.5	A
TEC電圧	VTEC	TL = 25 °C, TC = 70 °C			3.0	V
TEC能力	ΔT	Tc = 70℃			50	°C
サーミスタ温度					100	°C

ファイバーピグテールの仕様

パラメータ	説明
ファイバータイプ	PMファイバ
ジャケットタイプ	900μmルーズチューブ
ピグテールの長さ	1.0±0.1m
コネクタタイプ	FC/APC
PMファイバコネクタの向き	下の図をご覧ください